Перевод: с английского на русский

с русского на английский

plasma etching

См. также в других словарях:

  • Plasma etching — is a form of plasma processing used to fabricate integrated circuits. It involves a high speed stream of glow discharge (plasma) of an appropriate gas mixture being shot (in pulses) at a sample. The plasma source, known as etch species, can be… …   Wikipedia

  • plasma etching — plazminis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. plasma etching vok. Plasmaätzung, f rus. плазменное травление, n pranc. corrosion par plasma, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • plasma-etching reactor — plazminis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. plasma etcher; plasma etching reactor vok. Plasmaätzer, m; Plasmaätzreaktor, m rus. реактор для плазменного травления, m; установка для плазменного травления, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • parallel-plate plasma-etching reactor — plazminis ėsdintuvas su lygiagrečiais elektrodais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. parallel plate plasma etcher; parallel plate plasma etching reactor vok. Parallelelektroden Plasmaätzer, m rus. реактор с параллельными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • planar plasma-etching reactor — planarusis plazminis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. planar plasma etcher; planar plasma etching reactor vok. Planarplasmaätzer, m rus. планарный реактор для плазменного травления, m pranc. réacteur planaire pour… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • microwave plasma etching — mikrobanginis plazminis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. microwave plasma etching vok. Mikrowellenätzung, f rus. микроволновое плазменное травление, n pranc. décapage microhertzien par plasma, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ion-assisted plasma etching — joninis plazminis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion assisted plasma etching vok. Plasmaionenätzen, n rus. плазменное ионное травление, n pranc. décapage ionique par plasma, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • barrel-reactor plasma etching — plazminis ėsdinimas cilindriniame reaktoriuje statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. barrel reactor plasma etching vok. Plasmaätzen im Trommelreaktor, n rus. плазменное травление в цилиндрическом реакторе, n pranc. décapage par… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • radial-flow plasma-etching reactor — spinduliškas dujasrautis plazminis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. radial flow plasma etching reactor vok. Plasmaätzer mit radialem Strom, m rus. реактор плазменного травления с радиальным потоком, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • radical plasma etching — radikalinis plazminis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. radical plasma etching vok. radikales Plasmaätzen, n rus. радикальное плазмохимическое травление, n pranc. décapage radicalaire par plasma, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Etching (microfabrication) — Etching tanks used to perform Piranha, Hydrofluoric acid or RCA clean on 4 inch wafer batches at LAAS technological facility in Toulouse, France Etching is used in microfabrication to chemically remove layers from the surface of a wafer during… …   Wikipedia

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»