-
1 plasma etching
плазменное травление
Сухое травление, при котором полупроводниковая подложка погружается в плазму, содержащую травящие реагенты; химическая реакция травления происходит с одинаковой скоростью в любом направлении, то есть травление изотропно; может быть очень избирательным; используется тогда, когда не требуется направленность (анизотропия) травления, например, при удалении резиста.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > plasma etching
-
2 plasma etching
dry etching — «сухое» травление
The English-Russian dictionary general scientific > plasma etching
-
3 plasma etching
плазменное травление плазменное травлениеБольшой англо-русский и русско-английский словарь > plasma etching
-
4 plasma etching
-
5 plasma etching
Техника: плазменное травление -
6 plasma etching
-
7 plasma etching
-
8 plasma etching
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > plasma etching
-
9 plasma etching
-
10 plasma etching
English-Russian dictionary on household appliances > plasma etching
-
11 plasma etching
English-Russian dictionary of microelectronics > plasma etching
-
12 plasma etching
-
13 plasma etching reactor
English-Russian electronics dictionary > plasma etching reactor
-
14 plasma etching reactor
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > plasma etching reactor
-
15 plasma etching process
Большой англо-русский и русско-английский словарь > plasma etching process
-
16 plasma etching reactor
Большой англо-русский и русско-английский словарь > plasma etching reactor
-
17 plasma etching reactor
Англо-русский словарь технических терминов > plasma etching reactor
-
18 plasma etching machine
Техника: установка плазменного травленияУниверсальный англо-русский словарь > plasma etching machine
-
19 plasma etching process
Техника: плазменное травлениеУниверсальный англо-русский словарь > plasma etching process
-
20 plasma etching reactor
1) Техника: реактор для плазменного травления2) Микроэлектроника: плазменный реактор травленияУниверсальный англо-русский словарь > plasma etching reactor
См. также в других словарях:
Plasma etching — is a form of plasma processing used to fabricate integrated circuits. It involves a high speed stream of glow discharge (plasma) of an appropriate gas mixture being shot (in pulses) at a sample. The plasma source, known as etch species, can be… … Wikipedia
plasma etching — plazminis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. plasma etching vok. Plasmaätzung, f rus. плазменное травление, n pranc. corrosion par plasma, f … Radioelektronikos terminų žodynas
plasma-etching reactor — plazminis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. plasma etcher; plasma etching reactor vok. Plasmaätzer, m; Plasmaätzreaktor, m rus. реактор для плазменного травления, m; установка для плазменного травления, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
parallel-plate plasma-etching reactor — plazminis ėsdintuvas su lygiagrečiais elektrodais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. parallel plate plasma etcher; parallel plate plasma etching reactor vok. Parallelelektroden Plasmaätzer, m rus. реактор с параллельными… … Radioelektronikos terminų žodynas
planar plasma-etching reactor — planarusis plazminis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. planar plasma etcher; planar plasma etching reactor vok. Planarplasmaätzer, m rus. планарный реактор для плазменного травления, m pranc. réacteur planaire pour… … Radioelektronikos terminų žodynas
microwave plasma etching — mikrobanginis plazminis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. microwave plasma etching vok. Mikrowellenätzung, f rus. микроволновое плазменное травление, n pranc. décapage microhertzien par plasma, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-assisted plasma etching — joninis plazminis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion assisted plasma etching vok. Plasmaionenätzen, n rus. плазменное ионное травление, n pranc. décapage ionique par plasma, m … Radioelektronikos terminų žodynas
barrel-reactor plasma etching — plazminis ėsdinimas cilindriniame reaktoriuje statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. barrel reactor plasma etching vok. Plasmaätzen im Trommelreaktor, n rus. плазменное травление в цилиндрическом реакторе, n pranc. décapage par… … Radioelektronikos terminų žodynas
radial-flow plasma-etching reactor — spinduliškas dujasrautis plazminis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. radial flow plasma etching reactor vok. Plasmaätzer mit radialem Strom, m rus. реактор плазменного травления с радиальным потоком, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
radical plasma etching — radikalinis plazminis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. radical plasma etching vok. radikales Plasmaätzen, n rus. радикальное плазмохимическое травление, n pranc. décapage radicalaire par plasma, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Etching (microfabrication) — Etching tanks used to perform Piranha, Hydrofluoric acid or RCA clean on 4 inch wafer batches at LAAS technological facility in Toulouse, France Etching is used in microfabrication to chemically remove layers from the surface of a wafer during… … Wikipedia